ZA-322T中岸絲熔斷特性測試儀電流200A可定制生產(chǎn)廠家智能絲測試儀是一款用于小型熔斷器性能測試的用儀器,用于管熔斷時間、熔斷電流的檢測,
滿足標(biāo)準(zhǔn)G 9364.1-2015 、GB 9364.3-2018相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中的熔斷、耐久性試驗要求。
本儀器采用7寸顯示觸摸屏顯示和參數(shù)設(shè)置,采用ARM控制器進(jìn)行控制采集,試驗電流高達(dá)200A的試驗設(shè)備。
具有操作簡便,智能可靠等特點。
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項目 |
要求及指標(biāo) |
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輸入電壓范圍 |
220V±10﹪,50Hz/60Hz |
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測試電流范圍 |
0.5~150A,1﹪RD±0.2﹪fs |
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測試開路電壓精度 |
1﹪RD±0.2﹪fs |
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試驗?zāi)J?/span> |
熔斷時間測試 M1和耐久性測試M2 |
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測試時間范圍
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M1 模式時間范圍:10mS--60分鐘 M2 模式時間范圍:10mS--100小時 |
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耐久性時間設(shè)置 |
0~99H59M |
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次數(shù)設(shè)置 |
0~9999次 |
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時間分辨率 |
10ms |
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測試電流步 |
50mA~1A,可設(shè)置 |
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測試電流精度 |
M1 模式< ±0.4﹪SET + 50mA(‘SET’為設(shè)置數(shù)值), M2 模式<±0.5﹪SET + 100mA(‘SET’為設(shè)置數(shù)值) |
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測試時間精度 |
M1 模式< ±10mS+0.3﹪RD(‘RD’為實際工作時間數(shù)值), M2 模式<±10mS+0.5﹪RD(‘RD’為實際工作時間數(shù)值) |
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顯示方式 |
7 寸觸摸屏顯示 |
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控制方式 |
FPGA+ARM 控制 |
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其他 |
支持外接 U 盤拷貝試驗數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)保存功能,免費開放通信接口及提供底層通信協(xié)議 |
如果套管內(nèi)部存在缺陷,也可能導(dǎo)致套管異常發(fā)熱。在這種情況下,發(fā)生故障套管的整體溫度一般較其他正常的兩相高(如下圖紅外熱像儀應(yīng)用在套管上)。如果套管內(nèi)部或外部接頭存在接觸不良,或接點被氧化腐蝕,也可能導(dǎo)致套管接觸點溫度異常。在這種情況下,發(fā)生故障套管接觸點就會表現(xiàn)出觸點的溫度明顯高于其他正常的點或線路或套管。變壓器套管熱缺陷的紅外熱像儀應(yīng)用檢測依據(jù)根據(jù)DL/T664-20089.1電流致熱型設(shè)備的判斷:套管將帽與外部接線板或內(nèi)部導(dǎo)電桿接觸不良是電流致熱故障,判斷依據(jù)如下:套管內(nèi)部存在缺陷的情況比較復(fù)雜:有可能是電壓致熱故障所引起的,也有可能是套管機(jī)械損傷造成的。也就是說,只要振鈴、過沖和地電平反彈不導(dǎo)致邏輯跳變,那么這些模擬特點對MSO就不是問題。與邏輯分析儀一樣,MSO使用門限電壓,確定信號是邏輯值高還是邏輯值低。MSO4系列可以為每條通道立設(shè)置門限,適合調(diào)試帶有混合邏輯家族的電路。MSO4在其中一個數(shù)字適配夾上測量五個邏輯信號,它同時測量三個TTL(晶體管-晶體管邏輯)信號和兩個LVPECL(低壓正發(fā)射器-耦合邏輯)信號。MSO2和MSO3系列則為每個適配夾設(shè)置門限(一組8條通道),因此TTL信號將位于個適配夾上,而LVPECL信號則位于第二個適配夾上。 http://www.xcy100.com